广东省政府发布的《广东省加快推动光芯片财产创新发展行动方案(2024—2030年)》旨在推动光芯片财产的快速发展，目标是到2030年在光芯片领域取得关键技术突破，打造拳头产品，培育领军企业，建设创新平台，形成新的千亿级财产集群，并建设成为具有全球影响力的光芯片财产创新高地。

重点任务包括：

突破关键技术 ：强化光芯片基础研究和原始创新，加大研发投入，解决财产链中的技术瓶颈。

加快中试转化 ：建设概念验证中心、研发先导线和中试线，支持科技成果转化，提供原型制造和质量性能检测等服务。

建设创新平台体系 ：布局共性技术研发平台，培育专业化平台，打造公共服务平台，推动财产集聚发展。

培育领军企业 ：引进领军企业和新物种企业，支持企业并购整合，孵化科技型初创企业。

加强合作协同创新 ：对接国家集成电路战略，加强与港澳及国内其他地区的协同创新。

保障措施包括：

强化组织领导 ：由省半导体及集成电路财产发展领导小组统筹推进，整合资源，协调解决重大问题。

加大资金支持 ：统筹专项资金，发挥省基金及地市投资基金的引导作用，鼓励社会资本支持财产发展。

强化试点示范 ：吸引国内外龙头企业投资，建立项目投资决策和快速落地联动响应机制，开展应用场景试点示范。

强化资源保障 ：引进光芯片领域人才，完善教学资源和实践平台，加快培养创新型人才。

通过这些措施，广东省将提升光芯片财产的创新能力和核心竞争力，为打造新的千亿级财产集群奠定基础。

文章来源：激光制造网